您当前的位置:首页资讯电工电气正文

合格的汽车功率MOSFET

放大字体  缩小字体 发布日期:2015-02-26 浏览次数:88
  55V平面器件的标准和逻辑电平栅极驱动MOSFET N和P通道配置,S和提供低如8mOhm最大通态电阻(RDS(ON))。采用TO-220 FULLPAK包不再需要额外的绝缘硬件,简化设计,提高整个系统的可靠性。
  
  国际整流器公司今天推出了家庭的汽车合格电源MOSFET安置在一个坚固的TO-220 FULLPAK汽车应用,包括包那,水泵和冷却系统。
  
  新55V平面器件的标准和逻辑电平栅极驱动MOSFET N和P通道配置,S和提供低如8mOhm最大通态电阻(RDS(ON))。采用TO-220 FULLPAK包不再需要额外的绝缘硬件,简化设计,提高整个系统的可靠性。
  
  “基于IR的经过验证的平面技术,这对新家庭的MOSFET小号1的TO-220 FULLPAK包执行以及在一个坚固的,可靠的汽车应用的MOSFET时需要驾驶高电感负载的线性模式,“说吉峰秦,产品经理,汽车MOSFET S,IR的汽车产品事业部。
  
  IR的汽车MOSFET的小号动态和静态部分的平均测试结合100%自动晶圆级视觉检测作为IR的汽车质量针对零缺陷。主动的AEC-Q101资格要求,有是不超过1 RDS中20%的变化(上)1000次温度循环测试后。然而,在扩展测试IR的新款AU材料清单显示低于10%的最大RDS(上)在5,000次温度循环的转变,显示的强度和耐用性的材料清单。
  
  新器件符合AEC-Q101的标准,具有材料环保,无铅和RoHS兼容的法案。
  

“如果发现本网站发布的资讯影响到您的版权,可以联系本站!同时欢迎来本站投稿!

0条 [查看全部]  相关评论