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“场效应管 IRFB4019PBF”参数说明
| 是否有现货： | 是 | 品牌： | IR |
| 类型： | 结型场效应管(P沟道) | 材料： | N-FET硅N沟道 |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | 用途： | L/功率放大 |
| 导电方式： | 增强型 | 型号： | Irfb4019pbf |
| 商标： | IR | 包装： | 950 |
“场效应管 IRFB4019PBF”详细介绍
- 标准包装：50
- 包装类型：管件
- RoHS规范：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 产品描述：MOSFET N-CH 150V 17A TO-220AB
- 产品相片：TO-220-3, TO-220AB
- 产品培训模块：High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：标准
- 漏源极电压 (Vdss)：150V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：17A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：95 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.9V @ 50µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：20nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：800pF @ 50V
- 功率 - 最大值：80W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商器件封装：TO-220AB
